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台积电3纳米工艺良率突破90% 助力下一代芯片量产

台积电3纳米工艺良率突破90% 助力下一代芯片量产

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近日,台积电宣布其3纳米N3)制程良率已突破90%大关,标志着该先进工艺正式进入成熟量产阶段。这一里程碑意味着苹果、高通等客户将获得更高性能、更低功耗的芯片,为智能手机、AI加速器等产品带来显著提升。

Micro.blog:独立新闻出版商的理想内容发布平台

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